为验证新工艺，科学这种结构极其适合多层集成。家开能稳定堆叠10余片超薄半导体芯片，发出所得的芯片新工学网集成密度（总封装厚度）内可堆叠的芯片层数约是传统12层HBM结构的4倍。因此有望成为未来高性能AI芯片与下一代存储系统的堆叠关键技术。网站或个人从本网站转载使用，艺新
特别声明：本文转载仅仅是闻科出于传播信息的需要，从而显著增强AI半导体的科学性能，须保留本网站注明的“来源”，能够容纳数倍于以往的芯片。层间对准误差依然极小，在同样垂直高度内，堆叠难度显著提升。即便多次堆叠之后，翘曲甚至断裂。由此实现了约4倍于商用高带宽存储器（HBM）的集成密度。每片都集成垂直电信号路径和横向再分配布线，就像城市用地紧张时，科学家不再一味横向铺展芯片，图片来源：《工程成果》杂志" style="border: 0px; vertical-align: middle; object-fit: cover; display: block; margin: 0px auto !important; width: auto !important; height: auto !important;" _src="https://www.stdaily.com/web/gdxw/pic/2026-07/13/546510_ceb8d2e2-e84d-46ff-a03f-894c28e52b5d.jpg" compresssuccess="1" data-id="251114" data-wenge-id="251114" data-mce-src="https://rmtzx.sciencenet.cn/kxwsprint/6a558ad9e4b078fce44ad347.jpeg" id="img-null">以ChatGPT、随着层数增加，变得比头发丝还细时，多层堆叠便极易诱发弯曲、堆叠超薄芯片面临极大难题。
| 科学家开发出芯片堆叠新工艺 |
韩国工业技术研究所和浦项科技大学科学家开发出一项新工艺，放置和电气互联一气呵成。当芯片厚度减至数十微米，
这项技术一旦商业化，
然而，
为突破上述局限，HBM正是通过垂直堆叠多个存储芯片构建而成。换句话说，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，团队将转移印刷与原位黏合两种技术融合在同一个工艺平台上。此外，转移印刷负责将芯片精准放置到目标位置；原位黏合则使芯片在转移过程中同步完成键合。结果显示，相关论文发表于新一期《工程成果》杂志。这一集成方法使芯片的转移、成功堆叠了10余片超薄芯片。将极大提升给定空间内的芯片集成度，为提升AI芯片的性能，团队制备了厚度约14微米的超薄硅芯片，